新2网址(www.9cx.net):关于存储器的一些基础知识整理

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RAM

Random-Access-Memory,随机存储存储器,可读可写,分为SRAM和DRAM,即静态随机存储器和动态随机存储器,明白上静动态主要体现是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否则数据将丢失;SRAM的效率较好,而成本较高,通常将SRAM作为cache使用。

PSRAM

Pseudo static random access memory,伪SRAM伪随机存储器,内部和DRAM相似,接口和SRAM相似,具有自刷新功效,不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。

单\双端口RAM

单端口RAM统一时刻,只能知足读或写某一动作,而双端口RAM存在两套自力的地址、数据、读写控制等,可以同时举行两个操作,固然为阻止冲突,存在一定的仲裁控制,成本也更高。伪双口RAM是只有两接见接口,单一个端口只读,另一个端口只能写。

ROM

Read-Only-Memory,只读存储器,通常使用时一次写好,使用时只能举行读操作,而不能举行写操作。

新2网址

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CACHE

高速缓冲存储器,由于存储器DDR/DRAM等相对于处置器接见速率较慢,增添的一级缓冲存储空间,当需要处置器需要接见内存某一块区域时,先缓存cache中,处置器接见cache速率较快;但同时也需要增添处置DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。

TCM

Tightly-Coupled-Memory 慎密耦合(链接)的存储器,是指和处置器链接慎密,基本可以看做和CACHE统一品级毗邻的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE统一条理),其存储空间的内容不会像CACHE处置一样经常替换。

EEPROM

Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器,掉电非易失的存储芯片,在特殊高电压模式下可以插写,通俗模式下只读ROM。

FLASH

闪存,和EEPROM一样可擦除可重写,差异EEPROM总是按字节操作,FLASH可以根据字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash,Nor-flash可以根据字节读取,而NandFlash只能按块读取,两者同样可以根据字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线,成本比Nand-Flash高,而其可擦写次数低于NAND FLASH,一样平常嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。

对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型,也可以接纳并行Parallel;同样Flash可以和处置器集成在一起或是通过总线外部接见。

eMMC

embedded multi media card,集成了NAND FLASH和控制部门的集成电路,提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。

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     发布于 2021-07-15 00:00:00  回复
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